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PBSS5130PAP	文件：253.42 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. Features and benefits • Very low collector-emitt 文件：253.42 Kbytes 页数：17 Pages	恩XP	恩XP
PBSS5130PAP	文件：750.45 Kbytes Page：17 Pages	丝印：2E；Package：DFN2020-6；30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1. General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. 2. Features and benefits • Very low collec 文件：750.45 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS5130PAP-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor PNP/PNP low VCEsat transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN/PNP complement: PBSS4130PANP\n NPN/NPN complement: PBSS4130PAN • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain hFE at high IC\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n• High energy efficiency due to less heat generation\n• Qualified according to AEC-Q101 and recomm;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5130QA	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN complement: PBSS4130QA. 2. Features and benefits • Very low collector- 文件：726.66 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS5130T	文件：54.87 Kbytes Page：7 Pages	30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements • Cost effective alte 文件：54.87 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
Product status：
Production
Polarity：
PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
1040
VCEO [max] (V)：
-30
IC [max] (A)：
-1
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-250
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
250
hFE [min]：
250
fT [typ] (MHz)：
125

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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