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PBSS5130PAP	文件：750.45 Kbytes Page：17 Pages	Marking：2E；Package：DFN2020-6；30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4130PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4130PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5130QA	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5130T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5130T	文件：54.87 Kbytes Page：7 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •Costeffectivealte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5130T	文件：319.79 Kbytes Page：12 Pages	30V;1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •SmallSMDplasticpackage •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:IC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC5130-ONMW	文件：294.54 Kbytes Page：3 Pages	MirrorBackgroundWhiteCharacters	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
PC5130-OPMG	文件：254.21 Kbytes Page：3 Pages	MirrorBackground,GreenCharacters	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
PC5130-OPMP	文件：306.08 Kbytes Page：3 Pages	MirrorBackgroundPinkCharacters	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
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PC5130-OPO	文件：291.08 Kbytes Page：3 Pages	BlackCharactersonAmberBackground	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC

详细参数

型号：
PBSS5130PAP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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