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PBSS5130QA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5130QA
厂商型号

PBSS5130QA

参数属性

PBSS5130QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

功能描述

30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

001010

封装外壳

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘

文件大小

726.66 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 17:43:00

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PBSS5130QA规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible

and solderable side pads.

NPN complement: PBSS4130QA.

2. Features and benefits

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain hFE at high IC

• High energy efficiency due to less heat generation

• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements

• Solderable side pads

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Loadswitch

• Battery-driven devices

• Power management

• Charging circuits

• Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5130QAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    240mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    170MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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