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PBSS5120T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5120T
厂商型号

PBSS5120T

参数属性

PBSS5120T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 1A TO236AB

功能描述

20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

3K

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

324.94 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-27 23:01:00

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PBSS5120T规格书详情

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability IC and ICM

•High efficiency leading to less heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements

•Cost effective alternative for MOSFETs in specific applications.

APPLICATIONS

•Power management

–DC/DC conversion

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

•Peripheral drivers

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

NPN complement: PBSS4120T.

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5120T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 50mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 1A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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