PBSS5120T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS5120T |
参数属性 | PBSS5120T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 1A TO236AB |
功能描述 | 20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
324.94 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-31 23:00:00 |
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PBSS5120T规格书详情
PBSS5120T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS5120T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
FEATURES
•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
•High collector current capability IC and ICM
•High efficiency leading to less heat generation
•Reduced printed-circuit board requirements
•Cost effective alternative for MOSFETs in specific applications.
APPLICATIONS
•Power management
–DC/DC conversion
–Supply line switching
–Battery charger
–LCD backlighting.
•Peripheral drivers
–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).
DESCRIPTION
PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.
NPN complement: PBSS4120T.
产品属性
更多- 产品编号:
PBSS5120T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 50mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 20V 1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
22048 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
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