PBSS4540Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4540Z |
| 参数属性 | PBSS4540Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 5A SOT223 |
| 功能描述 | NPN medium power transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
44.32 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 20:00:00 |
| 人工找货 | PBSS4540Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4540Z规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package.
PNP complement: PBSS5540Z.
FEATURES
• High current (max. 10 A)
• Low voltage (max. 40 V)
• Low VCEsat.
APPLICATIONS
• Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers
• VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications
• All battery driven equipment to save battery power.
产品属性
- 产品编号：
PBSS4540Z,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
355mV @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 40V 5A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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