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PBSS5120T	文件：47.72 Kbytes Page：7 Pages	20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageprovidingultralowVCEsatandRCEsatparameters. NPNcomplement:PBSS4120T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5120T	文件：324.94 Kbytes Page：8 Pages	Marking：3K；Package：SOT23；20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •CosteffectivealternativeforMOSFETsinspecificapplications. APPLICATIONS •Powermanage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5120T_15	文件：125.93 Kbytes Page：7 Pages	PNP low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 1 A	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5120T,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PSM5120	文件：308.49 Kbytes Page：13 Pages	RFandMicrowavePowerSensors/Meters	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT5120	文件：474.78 Kbytes Page：4 Pages	1AMPLOWVOLTAGEINPUTINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
QBEC5120	文件：380.28 Kbytes Page：7 Pages	3mmInfraredLamp	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
QFX5120	文件：722.37 Kbytes Page：14 Pages	QFX5120ETHERNETSWITCH	JUNIPERJuniper Networks, Inc. 瞻博网络	JUNIPER
SB5120	文件：339.4 Kbytes Page：3 Pages	5.0AmpSchottkyBarrierRectifiers	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SB5120	文件：212.41 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-5Amp120Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT

详细参数

型号：
PBSS5120T
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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