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001010	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	型号：PBSS5130QA；Package：DFN1010D-3；30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00101000	文件：725.99 Kbytes Page：12 Pages	型号：PDTA143TMB；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = open Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00101001	文件：962.15 Kbytes Page：12 Pages	型号：PDTA143XMB；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 10 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC143XMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespick	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00101010	文件：837.43 Kbytes Page：12 Pages	型号：PDTA143ZMB；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Built-inbiasresistors Reducespickandplacecosts Simplifiescircuitdesign AEC-Q101qualified LeadlessultrasmallSMDplastic package Lowpackageheightof0.37mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00101011	文件：969.87 Kbytes Page：13 Pages	型号：PDTA144EMB；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 47 k廓 Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC144EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
00101000	文件：243.54 Kbytes Page：12 Pages	型号：PMEG2005BELD；Package：DFN1006D-2；20 V, 0.5 A low VF Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aleadlessultrasmallSOD882D(DFN1006D-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage withvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Averagefo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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