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丝印:00111011;Package:DFN1006B-3;NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = open General description NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA143TMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件:722.65 Kbytes 页数:12 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-17 9:03:00
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