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丝印：00111111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 22 k廓 General description NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA144WMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：831.88 Kbytes 页数：12 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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更新时间2026-1-17 15:01:00
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