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PDTC124EMB	文件：840.92 Kbytes Page：12 Pages	Marking：00110111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = 22 k廓 Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■R	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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Marking：00110111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = 22 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■R

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更多00110111供应商更新时间2025-5-23 9:01:00

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