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PBSS5130QA	文件：726.66 Kbytes Page：17 Pages	Marking：001010；Package：DFN1010D-3；30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4130QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5130QAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5130T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5130T	文件：54.87 Kbytes Page：7 Pages	30V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements •Costeffectivealte	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5130T	文件：319.79 Kbytes Page：12 Pages	30V;1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •SmallSMDplasticpackage •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:IC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC5130-ONMW	文件：294.54 Kbytes Page：3 Pages	MirrorBackgroundWhiteCharacters	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
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更多PBSS5130QA供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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