PBSS5130QAZ_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Nexperia USA Inc.

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厂家型号：
PBSS5130QAZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-10 8:12:00

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原厂料号：PBSS5130QAZ品牌：Nexperia USA Inc.

资料说明：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

PBSS5130QAZ是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Nexperia USA Inc.生产封装3-XDFN 裸露焊盘的PBSS5130QAZ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
pbss5130qaz
规格书：
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资料说明：
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
PBSS5130QAZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
240mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
170MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1010D-3
描述：
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

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PBSS5130QAZ

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