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PBSS5130QA中文资料30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS5130QA

参数属性

PBSS5130QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

功能描述

30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

3-XDFN 裸露焊盘

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-11-24 18:57:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PBSS5130QAZ

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    240mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    170MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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SOT-23
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