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PBSS4580PA	文件：290.62 Kbytes Page：16 Pages	Marking：AD；Package：HUSON3；80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity *LeadlesssmallS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4580PA	文件：177.03 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4580PA_15	文件：177.03 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4580PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 5.6A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PE4580	文件：319.28 Kbytes Page：3 Pages	RFConnectorsTechnicalDataSheet	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
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R4580I	文件：295.86 Kbytes Page：15 Pages	DUALAUDIOOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
PBSS4580PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 80V 5.6A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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