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PBSS5160QA	文件：743.81 Kbytes Page：17 Pages	Marking：101010；Package：DFN1010D-3；60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QAZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XDFN 裸露焊盘；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5160T	文件：698.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160T	文件：109.09 Kbytes Page：10 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprinted-circuitboardarearequired •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160T	文件：696.66 Kbytes Page：11 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyduetolessheatgeneration ReducesPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequired *Cost-effectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：196.31 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP) Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting LCDback-lighting Supplylineswitchingcircuits.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
PBSS5160U	文件：247.33 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmall SOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. 1.2Features nLowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat nHighcollectorcurrentcapabilityI	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160V	文件：267.59 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyleadingtolessheatgeneration Reducesprinted-circuitboardarearequired *CosteffectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PE-5160X	文件：293.4 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSETRANSFORMERS2WattPulse,ElectrostaticallyShielded,500mWPulse,RFPulse,andControlTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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