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PBSS5160QA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5160QA |
| 参数属性 | PBSS5160QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 |
| 功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
743.81 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-18 19:00:00 |
| 人工找货 | PBSS5160QA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5160QA规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small
DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible
and solderable side pads.
NPN complement: PBSS4160QA.
2. Features and benefits
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
• Solderable side pads
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
产品属性
- 产品编号：
PBSS5160QAZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
460mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN1010D-3
- 描述：
TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT23 |
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