PBSS5140T中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
PBSS5140T |
| 参数属性 | PBSS5140T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP 40V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor |
| 文件大小 |
106.93 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-22 16:34:00 |
PBSS5140T规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
Applications
■ General-purpose switching and muting
■ LCD backlighting
■ Supply line switching circuits
■ Battery-driven equipment (mobile phones, video cameras and handheld devices)
产品属性
- 产品编号：
PBSS5140T/ZLR
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 40V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
TQFP64 |
18000 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT23 |
9000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
150000 |
原装进口现货力挺实单 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
90000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
MOLEX/莫仕 |
2308+ |
283305 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
询价 | |||
NXP |
19+ |
SOT23 |
18000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT23 |
100000 |
十年芯程 只做原装深圳现货 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
22+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2022 |
SOT23 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 |
