PBSS5130T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5130T |
| 参数属性 | PBSS5130T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 1A TO236AB |
| 功能描述 | Low VCEsat (BISS) transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
948.33 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 原厂标识 | PHILIPS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 13:30:00 |
| 人工找货 | PBSS5130T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
PBSS5130T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
225mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
260 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 30V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
215 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT23 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
恩XP |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
YANGJIE |
24+ |
SOT-23 |
50000 |
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恩XP |
22+ |
SOT-23 |
36012 |
原装正品现货 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
53245 |
询价 | |||
恩XP |
2511 |
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NEXPERIA |
24+ |
SOT23 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
