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PBSS5160QA中文资料60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS5160QA |
| 参数属性 | PBSS5160QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 |
| 功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-18 23:00:00 |
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PBSS5160QA规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.
NPN complement: PBSS4160QA.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
• Solderable side pads
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5160QA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Size (mm)
：1.1 x 1 x 0.37
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：1000
- VCEO [max] (V)
：-60
- IC [max] (A)
：-1
- ICM [max] (A)
：-1.5
- hFE [min]
：160
- hFE [typ]
：250
- fT [min] (MHz)
：100
- fT [typ] (MHz)
：150
- RCEsat [typ] (mΩ)
：225
- RCEsat [max] (mΩ)
：330
- VCEsat [max] (mV)
：-460
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1215 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
2016+ |
SOT-23 |
3000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
20000 |
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询价 | ||
恩XP |
20+ |
SOT-23 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
询价 | ||
恩XP |
12+ |
SOT23 |
26189 |
原盘原盒现货/3K |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT23 |
18000 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23-3 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
500 |
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十 |
询价 |
