PBSS5140T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS5140T |
| 参数属性 | PBSS5140T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
| 人工找货 | PBSS5140T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5140T规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4140T.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• General-purpose switching and muting
• LCD backlighting
• Supply line switching circuits
• Battery-driven equipment (mobile phones, video cameras and handheld devices)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5140T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：-40
- IC [max] (mA)
：-1000
- hFE [min]
：300
- hFE [max]
：800
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：150
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
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