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PBSS4612PA	文件：289.77 Kbytes Page：16 Pages	丝印：A5；Package：HUSON3；12 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. PNP complement: PBSS5612PA. Features and benefits ■ Low collector-emitter saturatio 文件：289.77 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4612PA_15	文件：175.49 Kbytes Page：15 Pages	12 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 文件：175.49 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4612PA	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4612PA - 12 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor 12 V, 6 A NPN low V_CEsat (BISS) transistor - NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. PNP complement: PBSS5612PA. ·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n·Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity\n·Leadless small SMD plastic package with medium;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS4612PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 6A 3HUSON	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技术参数

Package version：
SOT1061
Package name：
DFN2020-3
Size (mm)：
2 x 2 x 0.65
transistor polarity：
NPN
P_tot [max] (mW)：
2100
V_CEO [max] (V)：
12
I_C [max] (A)：
6
I_CM [max] (A)：
7
h_FE [min]：
280
h_FE [typ]：
440
f_T [min] (MHz)：
50
f_T [typ] (MHz)：
80
R_CEsat [typ] (mΩ)：
33
R_CEsat [max] (mΩ)：
46
V_CEsat [max] (mV)：
275

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