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PBSS5160DS	文件：141 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4160DS. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and 文件：141 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS5160DS	文件：263.34 Kbytes Page：15 Pages	丝印：A5；Package：SC-74；60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：263.34 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS5160DS	文件：143.46 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4160DS. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability: IC and ICM 文件：143.46 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5160DS_15	文件：148.63 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：148.63 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5160DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4160DS. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High efficiency due to less heat generation\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n• AEC-Q101 qualifie;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5160DS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor PNP/PNP low VCEsat transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4160DS-Q • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High efficiency due to less heat generation\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n• Qualified accordi;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Polarity：
PNP
Configuration：
2
Ptot (mW)：
420
VCEO [max] (V)：
-60
IC [max] (mA)：
-770
hFE [min]：
200
Tj [max] (°C)：
150
fr [min] (MHz)：
150
Automotive qualified：
Y

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