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PBSS5160DS规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 型号：
PBSS5160DS
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
21+ |
30000 |
只做原装正品!现货库存!可开13点增值税票 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT23-6 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT457 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-457 |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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恩XP |
22+ |
SOT457 |
25000 |
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恩XP |
24+ |
SOT457 |
60000 |
询价 | |||
24+ |
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80000 |
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恩XP |
21+ |
SOT-1118 |
26880 |
公司只有原装 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT457 |
600000 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT457 |
90000 |
原厂原装正品现货 |
询价 |
