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PBSS5160DS-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor PNP/PNP low VCEsat transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4160DS-Q • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• High efficiency due to less heat generation\n• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n• Qualified accordi;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT346 (SC-59A) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4160K. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability: IC and ICM ■ High co 文件：125.18 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
5160C	文件：412.17 Kbytes Page：4 Pages	20 (7/28) AWG Tinned Copper 文件：412.17 Kbytes 页数：4 Pages	ALPHAWIRE	ALPHAWIRE
5160FI	文件：173.81 Kbytes Page：4 Pages	ELECTRIC FUEL PUMP 文件：173.81 Kbytes 页数：4 Pages	MALLORY	MALLORY
5160HR	文件：140.36 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION These series of high current rectifiers offers opportunity for size and weight reduction in high power supplies. FEATURES • Rating: 12A • Controlled Avalanche • Miniature Package • Surge Rating: 200A 文件：140.36 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Product status：
Production
Polarity：
PNP
Nr of transistors：
2
Ptot [max] (mW)：
560
VCEO [max] (V)：
-60
IC [max] (A)：
-0.77
VCEsat [max] (PNP) (mV)：
-330
RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：
330
hFE [min]：
200
fT [typ] (MHz)：
185

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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