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PBSS5160DS-Q中文资料60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS5160DS-Q规格书详情
描述 Description
PNP/PNP low VCEsat transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4160DS-Q
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
Dual low power switches (e.g. motors, fans)
Automotive applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5160DS-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Product status
：Production
- Polarity
：PNP
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：560
- VCEO [max] (V)
：-60
- IC [max] (A)
：-0.77
- VCEsat [max] (PNP) (mV)
：-330
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：330
- hFE [min]
：200
- fT [typ] (MHz)
：185
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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