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PBSS4360XX

60 V, 3 A NPN low VCEsat BISS transistor

文件:254.8 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

PBSS4360XX

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A SOT89

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安世安世半导体(中国)有限公司

PBSS4360Z

60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS5360Z. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capabili

文件:717.01 Kbytes 页数:14 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PE4360

SMB JACK SOLDER/CLAMP ATTACHMENT FOR RG405 PE-SR405AL &PE-SR405FL

文件:120.52 Kbytes 页数:1 Pages

PASTERNACK

PN4360

Junction FETs Low Frequency/ Low Noise

N-Channel 2N4220 2N4221 2N4222 2N4338 2N4339 2N4340 2N4341 2N5457 2N5458 2N5459 2N5556 2N5557 PN3685 PN3686 PN3687 PN4302 PN4303 PN4304 P-CHANNEL 2N2608 2N2609 2N3820 2N5020 2N5460 2N5461 2N5462 PN4360

文件:58.82 Kbytes 页数:1 Pages

Central

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4360XX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 3A,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 3A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    75MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A SOT89

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Nexperia(安世)
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更多PBSS4360XX供应商 更新时间2025-10-9 23:00:00