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IRF624B	文件：874.76 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF624PBF	文件：283.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF624PBF	文件：149.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF624S	文件：191.31 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •availableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAval	IRF International Rectifier	IRF
IRF624S	文件：180.04 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF624S	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF624SPBF	文件：1.7542 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •availableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAval	IRF International Rectifier	IRF
IRF624SPBF	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI624B	文件：666.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI624G	文件：170.86 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.4A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF624B
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
250V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF624B供应商更新时间2025-5-1 9:16:00

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