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IRL520NS	文件：197.67 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSL	文件：180.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSPBF	文件：398.37 Kbytes Page：10 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520NSPBF	文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL520PBF	文件：1.16179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •Logic-LevelGateDrive •RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL520PBF	文件：1.02845 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL520S	文件：924.93 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI520A	文件：274.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI520G	文件：179.01 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI520G	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520G	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI520GPBF	文件：993.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI520N	文件：37.3 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI520N	文件：299.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI520NPBF	文件：1.06504 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI520NPBF	文件：617.62 Kbytes Page：9 Pages	Logic?밚evelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRLI520NPBF	文件：1.0604 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLS520A	文件：258.48 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.22Ω ID=7.2A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.176Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS520A	文件：270.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF520NLPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRF520NLPBF	IR	07+/08+	TO-262-3	128		询价
深圳中芯器材有限公司	IRF520NLPBF	ir	dc13	原厂封装	150	INSTOCK:50/tube/to220	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF520NLPBF	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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