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IRF520V	文件：200.52 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：200.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF520VL	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：129.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF520VPBF	文件：150.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：150.34 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF520VS	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：129.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF520VLPBF	文件：225.14 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：225.14 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520VSPBF	文件：225.14 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：225.14 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF520V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IRF520V
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)

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