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IRF530STRRPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI530A	文件：274.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：171.73 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530G	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI530G	文件：319.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：1.47008 Mbytes Page：7 Pages	SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI530G	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI530GPBF	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF530STRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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