IRFI530G资料datasheet下载贸易商威世-114ic电子网

首页 >IRFI530G>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFI530G	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：937.55 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI530G	文件：171.73 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industri 文件：171.73 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI530G	文件：1.47008 Mbytes Page：7 Pages	Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm DESCRIPTION The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The molding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is equivalent to using a 1 文件：1.47008 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFI530G	文件：319.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI530G	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：282.19 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI530GPBF	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：937.55 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI530G_V01	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：282.19 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI530GPBF	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：282.19 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI530G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFI530G	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI530G
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFI530G	IR	17+	TO-220F	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRFI530G	IR	24+	TO 220F	161032	明嘉莱只做原装正品现货	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	IRFI530G	IR	06+	TO-220	5000	全新原装绝对有货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFI530G	IR	24+	TO-220	8866		询价
上海专毅电子科技有限公司	IRFI530G	IR	17+	TO-220	9888	只做原装,现货库存	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFI530G	IR	20+	TO-220F	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IRFI530G	IR	24+	TO-220F	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFI530G	IR	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRFI530G	VISHAY	25+	TO220-3	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRFI530G	IR	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IRFI530G供应商更新时间2026-1-25 14:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号