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IRFI540G	文件：184.27 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFI540G	文件：532.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540G	文件：319.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.077Ω(MAX) •Enhancementmode:Vth=2to4V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFI540G	文件：1.06707 Mbytes Page：7 Pages	Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFI540G	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540G	文件：1.48447 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540GPBF	文件：3.54107 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFI540GPBF	文件：532.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540GPBF	文件：1.60547 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRFI540G_17	文件：1.48447 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540G_V01	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI540GPBF	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
540	文件：1.6009 Mbytes Page：96 Pages	Pentium4ProcessorsSupportingHyper-ThreadingTechnology Introduction TheIntel®Pentium®4processoron90nmprocessinthe775-landpackageisafollowontothePentium4processorinthe478-pinpackagewithenhancementstotheIntelNetBurst®microarchitecture.ThePentium4processoron90nmprocessinthe775-landpackageusesFlipChipLandGr	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
540BUE	文件：155.03 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,#20-20c,BC,CMR ProductDescription Security&SoundCable,Riser-CMR,20-20AWGstrandedbarecopperconductorswithPVCinsulation,PVCjacketwithripcord	BELDEN Belden Inc.
540PWC	文件：116 Kbytes Page：5 Pages	5MMLED	HBHB Electronic Components HB Electronic Components
A540	文件：118.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONRECTIFIER	POWEREX POWEREX
A540	文件：654.22 Kbytes Page：16 Pages	MISCELLANEOUSHARDWARE-ACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A540	文件：657.1 Kbytes Page：17 Pages	TOCHANGEWITHOUTNOTICEACCESSORIES	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A540L	文件：118.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONRECTIFIER	POWEREX POWEREX
A540LA	文件：118.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONRECTIFIER	POWEREX POWEREX

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详细参数

型号：
IRFI540G
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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