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IRFIB41N15DPbF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：714.57 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIB41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：342.04 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：193 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：268.02 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS41N15D	文件：299.93 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRFIB41N15DPBF
功能描述：
MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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