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IRFI830GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat

文件:1.56994 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI830GPBF

Power MOSFET

文件:910.77 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFS830

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package

文件:936.21 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

IRFS830

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.10631 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

IRFS830

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:270.66 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IRFI830GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFI830GPBF供应商 更新时间2026-1-18 14:14:00