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IRFI740GPBF	文件：1.58797 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •SinktoLeadCr	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI740GPBF	文件：935.15 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
740	文件：362.45 Kbytes Page：1 Pages	GROMMETS,BUSHINGS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
740	文件：303.45 Kbytes Page：1 Pages	WihaQualityToolsSlottedBits	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
740	文件：702.85 Kbytes Page：2 Pages	CONTROLB횁SICOYECON횙MICODELRELOJFECHADORELECTR횙NICO	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
740C	文件：167.85 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEBARATRONCAPACITANCEMANOMETERS	MKS MKS Instruments.
740H	文件：389.8 Kbytes Page：5 Pages	10Amps竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
740UV	文件：499.34 Kbytes Page：5 Pages	3M??700-SeriesSMPProducts	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
740UV	文件：499.34 Kbytes Page：5 Pages	3M??SMPAdhesiveSealant740UV	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
A740	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ACE740E	文件：386.18 Kbytes Page：8 Pages	4A,18VHighEfficiencySynchronousStep-DownConverter	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACPL-C740	文件：1.42829 Mbytes Page：19 Pages	OpticallyIsolatedSigma-DeltaModulator	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体
AIMB-740-B	文件：210.63 Kbytes Page：2 Pages	Socket478Pentium짰4/Celeron짰D/CeleronProcessor-basedATXwithVGA/DualLAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
ASRD740	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc
ASRD740B	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc
ASRD740T	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc
AZT740	文件：197.54 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors
B740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司

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详细参数

型号：
IRFI740GPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFI740GPBF供应商更新时间2024-4-27 10:12:00

详细参数

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