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IRFI540NPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

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INFINEON

英飞凌

IRFI540NPBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRFI540NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

IRFI540NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

详细参数

  • 型号:

    IRFI540NPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFI540NPBF供应商 更新时间2026-4-19 14:01:00