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IRF530FI	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N - channel enhancement mode POWER MOS field effect transistors. Easy drive and very fast switching times make these POWER MOS transistors ideal for high speed switching applications. Applications include DC/DC converters, UPS battery chargers, s 文件：47.74 Kbytes 页数：3 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF530FI	文件：187.75 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS 文件：187.75 Kbytes 页数：3 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
IRF530FI	文件：64.319 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor 文件：64.319 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF530FI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT220	NJS	NJS

技术参数

Channel Mode：
Enhancement
Channel Type：
N
Configuration：
Single
Maximum Continuous Drain Current：
9A
Maximum Drain Source Voltage：
100V
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
35000mW
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Number of Elements per Chip：
1

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更多IRF530FI供应商更新时间2025-12-5 16:35:00

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