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深圳市河锋鑫科技有限公司

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原装正品 可含税交易

深圳市赛美科科技有限公司

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芯有半导体(深圳)有限公司

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IRTO-220F

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRTO-220F

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市威雅利发展有限公司

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标准国际(香港)有限公司

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深圳市能元时代电子有限公司

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市富利微电子科技有限公司

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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3)

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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

深圳市赛美科科技有限公司

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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3)

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IRLI520制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET

IRLI520ATU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLI520G功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLI520GPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLI520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLI520NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube