| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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IRTO-220FullPak(Iso) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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11年
留言
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IRTO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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18年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
4916 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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6年
留言
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IRTO-220F |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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IRTO-220F |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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IRTO-220F |
500 |
23+ |
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5年
留言
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IRTO-220F |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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6年
留言
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IRTO-220F |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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IRTO-220F |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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7年
留言
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IRTO-220F |
7 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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18年
留言
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IR |
10 |
25+ |
公司优势库存 热卖中!! |
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10年
留言
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IRTO-220-3 |
28512 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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15年
留言
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IRTO-220F |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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14年
留言
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IRTO-220F |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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10年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
25000 |
25+ |
原装正品,假一赔十! |
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6年
留言
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IRTO-220 |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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11年
留言
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IRTO-220F |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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15年
留言
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IR原装TO-220F |
22813 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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10年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
6820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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IRLI520图片
IRLI520NPBF价格
IRLI520NPBF价格:¥2.8076品牌:International
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IRLI520NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLI520制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
IRLI520ATU功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI520G功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI520GPBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI520NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































