IRF530NSTRLPBF规格书应用电路供应商报价-114ic电子网

首页 >IRF530NSTRL>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NSTRRPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530PBF	文件：280.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530R	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530S	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF530S	文件：180.1 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF530NSTRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	24+	TO-263	8816	保证进口原装现货假一赔十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	2020+	TO-263	9600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市正纳电子有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	22+	TO-263-2	800	原装正品可支持验货,欢迎咨询	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF530NSTRLPBF	Infineon Technologies	24+	D2PAK	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	16+	TO-263	6323	全新原装/深圳现货库2	询价
深圳市鸿博高科电子有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	20+	TO-263	50000		询价
标准国际(香港)有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	2036+		1100	全新原装!优势库存热卖中!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	23+	TO-263	2400	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON/英飞凌	24+	TO-252-3	90	原厂授权代理价格绝对优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR/INFINEON	23+	TO-263	98900	原厂原装正品现货!!	询价

更多IRF530NSTRL供应商更新时间2025-5-18 22:37:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号