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IRL520

HEXFETPOWERMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •Logic-LevelGateDrive •RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfrom

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRL520A

AdvencedPowerMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.22Ω ID=9.2A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ♦LowerRDS(ON):0.176Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IRL520L

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520L

RepetitiveAvalancheRated

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRL520N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRL520N

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520N

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520NL

Logic-LevelGateDrive

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520NL

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRL520NLPBF

Logic-LevelGateDrive

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520NPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

IRL520NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520NPBF

Logic-levelGateDrive

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRL520NS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRL520NS

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IRF520NLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
07+/08+
TO-262-3
128
询价
ir
dc13
原厂封装
150
INSTOCK:50/tube/to220
询价
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
IR
23+
TO-262-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
IR
20+
TO-262-3
90000
全新原装正品/库存充足
询价
INFINEON
1503+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
询价
Infineon Technologies
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原装,支持实单
询价
ir
22+
500000
行业低价,代理渠道
询价
更多IRF520NLPBF供应商 更新时间2024-6-19 16:30:00