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IRL520L	文件：334.57 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform 文件：334.57 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL520L	文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive Avalanche Rated 文件：287.92 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL520L_V01	文件：334.57 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform 文件：334.57 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL520L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt rating\nRepetitive avalanche rated\nLogic-level gate drive;	Vishay 威世	Vishay
IRL520L/SiHL520L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRL520L
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRL520L供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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