选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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WSOP |
6561 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO263 |
20000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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INFINEON/IRTO-220-3 |
4000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
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IRDIP |
53200 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IR/INFINEONTO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
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INFINEON原封装 |
9960 |
22+ |
只做原装进口货 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
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IR/INTERSILTO-220AB |
29865 |
22+ |
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
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IRTO-220 |
6300 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
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INFINEOND2PAK |
2500 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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INFORIGINAL |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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IRL540N图片
IRL540NPBF价格
IRL540NPBF价格:¥1.6826品牌:International
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IRL540NPBF资讯
IRL540NSTRLPBF 全新原装现货
IRL540NSTRLPBF
IRL540NPBF
全新原装现货供应0755-8253886315820431872QQ:1134344845
IRL540NPBF
IRL540NPBF
IRL540NS TO-263 IRL540NPBF TO-220 大量现货库存热卖
型号:IRL540NPBF 品牌:IR 类型:MOS管 描述MOSFETN-CH100V36ATO-220AB 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:逻辑电平门 漏极至
IRL540NPBF中文资料Alldatasheet PDF
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IRL540NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL540NS制造商:IR 功能描述:HEXFET 100v 36amp 制造商:International Rectifier 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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IRL540NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL540NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL540NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN D2PAK - Tape and Reel