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IRL540S	文件：276.09 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK(TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：276.09 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540S	文件：318.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc 文件：318.59 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540S	文件：186.87 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：186.87 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRL540S_V01	文件：318.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc 文件：318.59 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540SPBF	文件：276.09 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK(TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：276.09 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540STRLPBF	文件：276.09 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK(TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：276.09 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540SPBF	文件：318.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：318.59 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540STRLPBF	文件：318.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：318.59 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL540STRLPBF	文件：1.04367 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.04367 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRL540S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dv/dt rating;	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRL540S
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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