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IRLL024NPBF	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：144.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRLL024NTRPBF	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NTRPBF	文件：1.50169 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.50169 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRLL024NPBF
功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10.4nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLL024NPBF供应商更新时间2025-12-14 16:12:00

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