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IRLMS1503	文件：180.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：180.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503	文件：150.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：150.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET • 适用于宽 SOA 的平面单元结构\n• 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 符合 JEDEC 的产品认证\n• 针对应用进行了优化的硅片\n• 行业标准表面贴装功率;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLMS1503_05	文件：150.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：150.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF	文件：150.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：150.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF	文件：156.24 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology 文件：156.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF	文件：156.24 Kbytes Page：8 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：156.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF_15	文件：156.24 Kbytes Page：8 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：156.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF-1	文件：197.68 Kbytes Page：8 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：197.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLMS1503PBF-1_15	文件：197.68 Kbytes Page：8 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：197.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptot(@ TA=25°C) max：
1.7 W
Qgd：
1.9 nC
QG(typ @10V)：
6.4 nC
RDS (on)(@10V) max：
100 mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
200 mΩ
RthJAmax：
75 K/W
Tjmax：
150 °C
VDSmax：
30 V
VGS(th)min：
1 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
SMD
Package：
TSOP-6
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Special Features：
Small Power
Budgetary Price €/1k：
0.11

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRLMS1503	INFINEON/英飞凌	25+	TSOP-6	20300	INFINEON/英飞凌原装特价IRLMS1503即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多IRLMS1503供应商更新时间2025-12-10 15:10:00

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