Generation V Technology

文件：156.24 Kbytes 页数：8 Pages

IRF

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.94586 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TSOP-6 (Micro 6)封装

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。 • 适用于宽 SOA 的平面单元结构\n• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化\n• 行业标准表面贴装封装;

Infineon

英飞凌