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IRLML6344TRPBF

丝印:A19T;Package:SOT23;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features ® Vos =-30Vlo = 424 Rosin

文件:2.60787 Mbytes 页数:6 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

IRLML6344TRPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:210.73 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRLML6344TRPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:261.36 Kbytes 页数:2 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

IRLML6344TRPBF

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.07131 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    IRLML6344TRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 20V 2.5V drv capable

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
25+
SOT-23
26524
参数: 漏源电压(Vdss):30V 25℃时连续漏极电流(Id):5A(Ta),也有资料显示可达 6.5A 导通电阻(Rds On):29 毫欧 @5A,4.5V,也有资料显示为 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V 阈值电压(Vgs (th)):最大值 1.1V@10μA,通常范围在 1.2V 至 2.2V 栅极电荷(Qg):最大值 6.8nC@4.5V 栅源电压(Vgs):最大值 ±20V 输入电容(Ciss):最大值 650pF@25V 功率耗散:最大值 1.3W(Ta) 工作温度:-55°C 至 150°C(TJ)
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INFINEON/英飞凌
20+
SOT-23
2990
老谢保证原装正品
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IR
24+
SOT-23
14000
只做原装假一罚十
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IINFINEON
2024
SOT23
2950
全新原装 正品现货
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INFINEON
22+
?SOT-23
213000
原装正品可支持验货,欢迎咨询
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INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
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IR
25+
SOT23
35758
IR全新特价IRLML6344TRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
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Infineon(英飞凌)
25+
SOT-23(SOT-23-3)
10000
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Infineon(英飞凌)
25+
SOT-23(SOT-23-3)
7589
全新原装现货,支持排单订货,可含税开票
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IR
16+
SOT-23
18500
进口原装现货/价格优势!
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更多IRLML6344TRPBF供应商 更新时间2026-4-18 17:34:00