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IRLML6401GTRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:201.41 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6401GTRPBF

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:1.08266 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRLML6401PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:188.06 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6401PBF

Ultra Low On-Resistance

文件:203.84 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRLML6401PBF

HEXFET Power MOSFET

Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, prov

文件:201.62 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRLML6401GTRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRLML6401GTRPBF供应商 更新时间2026-1-26 14:14:00