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IRLR2908TRLPBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AM2908	文件：595.14 Kbytes Page：13 Pages	OneChannelH-BridgeDrMOS FeaturesandBenefits LowestRDS(ON)=45mΩ 60VAbsoluteMaximumVoltage 4.5AMaximumContinuousCurrent. LowestRDS(ON)andSmallPackage 10~50VOperatingVoltageRange OvercurrentProtection ThermalShutdownProtection UndervoltageLockout FaultIndicatorPin LowStandbyCurre	AMTEK Amtek Technology Co., Ltd.
AMS2908	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems
AMS2908	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems
AMS2908CD	文件：65.8 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR GENERALDESCRIPTION TheTheAMS2908seriesofadjustableandfixedvoltageregulatorsaredesignedtoprovide800mAoutputcurrentandtooperatedownto1Vinput-to-outputdifferential.Thedropoutvoltageofthedeviceisguaranteedmaximum1.3Vatmaximumoutputcurrent,decreasingatlowerlo	ADMOS Advanced Monolithic Systems
AMS2908CD	文件：63.54 Kbytes Page：7 Pages	800mALOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems
AOD2908	文件：1.80965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOD2908	文件：321.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD2908	文件：1.77516 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AOD2908	文件：272.73 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AUIRLR2908	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR2908	文件：672.6 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR2908TR	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR2908TRL	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRLR2908TRR	文件：236.06 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IIRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRLR2908	文件：1.06845 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRLR2908	文件：206.37 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,lowRθJC,fasts	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLR2908PBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRLR2908TRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRLR2908TRLPBF供应商更新时间2024-4-28 10:04:00

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