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AUIRLR2908

Logic-Level Gate Drive

文件:672.6 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRLR2908

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:236.06 Kbytes 页数:13 Pages

IRF

AUIRLR2908

80 V、N 通道、最大 28 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、第 7.5 代

\n优势:\n• Advanced planar technology\n• Dynamic dV/dT rating\n• 175°C operating temperature\n• Fast switching\n• Fully Avalanche Rated\n• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax\n• Lead free, RoHS compliant\n• Automotive qualified;

Infineon

英飞凌

AUIRLR2908TR

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

AUIRLR2908TRL

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

AUIRLR2908TRR

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

技术参数

  • VDS max:

    80.0V

  • ID (@ TC=100°C) max:

    28.0A

  • ID  max:

    28.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    39.0A

  • RDS (on)(@10V) max:

    28.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V LL) max:

    30.0mΩ

  • QG(typical) :

    22.0nC 

  • Qgd :

    11.0nC 

  • VGS max:

    16.0V

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Mounting :

    SMD

  • Polarity :

    N

  • Tj max:

    175.0°C

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