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IRLR2908	文件：206.37 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast s 文件：206.37 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2908	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR2908	文件：1.06845 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.06845 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLR2908	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLR2908PBF	文件：325.14 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast s 文件：325.14 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRLR2908PBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.72 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2908PBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.72 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2908PBF_15	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.72 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2908TRLPBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.72 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR2908TRPBF	文件：340.72 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.72 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLR2908TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
80 V
RDS (on) @10V max：
28 mΩ/28 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
30 mΩ/30 mΩ
ID @25°C max：
39 A/39 A
QG typ @4.5V：
22 nC/22 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V/1 V
VGS(th) max：
2.5 V/2.5 V
VGS(th)：
1.75 V/1.75 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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